特許

J-GLOBAL ID：201603015546937842

光電変換装置およびその製造方法、光電変換モジュール

発明者： 時岡 秀忠 ,  佐藤 剛彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013052230
公開番号（公開出願番号）：WO2013-172056
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

n型結晶性珪素基板2の受光面と反対側の裏面に、n型半導体層11およびp型半導体層10と、前記n型半導体層11上に形成された集電極4と、前記p型半導体層10上に形成された集電極3とを備え、前記n型結晶性珪素基板2の受光面側の表面に、n型半導体領域8を備え、前記n型半導体領域8は、前記n型結晶性珪素基板2を介して前記n型半導体層11に対向するn型半導体領域8bと、前記n型結晶性珪素基板2を介して前記p型半導体層10に対向するn型半導体領域8aと、において平均不純物濃度が異なる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の受光面と反対側の裏面に、第1導電型の第1半導体層および第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第1電極と、前記第2半導体層上に形成された第2電極とを備え、 前記半導体基板の受光面側の表面に、第1導電型の半導体領域を備え、 前記半導体領域は、前記半導体基板を介して前記第1半導体層に対向する第1領域と、前記半導体基板を介して前記第2半導体層に対向する第2領域と、において平均不純物濃度が異なること、 を特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 31/035 ,  H01L 31/022 ,  H01L 31/023

FI (3件)：

H01L31/04 340 ,  H01L31/04 262 ,  H01L31/04 280

Fターム (19件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CB12 ,  5F151CB15 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151HA03 ,  5F151HA07