特許

J-GLOBAL ID：201603015569607904

ヨウ素処理によるHgCdTe表面不動態化

発明者： クリストフ・ポーテット ,  アルノー・エトケベリー ,  アレクサンドル・コージエ ,  イザベル・ジェラール
出願人/特許権者： ソシエテ・フランセズ・ドゥ・デテクトール・アンフラ-ルージュ-ソフラディール ,  セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-143911
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016796
特許番号：特許第5982195号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 特に赤外または可視範囲での電磁放射検知回路(3、4、5)の成長基板(4)を除去する方法であって、前記検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたHg(1-x)CdxTeで作られた、前記放射の検知層(3)を含み、前記検知回路がリード回路(1)上にハイブリッド化され、以下の段階を含む方法: ・検知回路の材料と成長基板との間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板(4)に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、 ・そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。

IPC (1件)：

H01L 31/0264 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/08 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-279222   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-182764
  
• 半導体ウエハの再結合ライフタイム測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-037783   出願人：SUMCOTECHXIV株式会社, 株式会社SUMCO