特許

J-GLOBAL ID：201603015572879516

光ファイバ

発明者： 平野 正晃 ,  春名 徹也 ,  田村 欣章
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141332
公開番号（公開出願番号）：特開2016-200830
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：

【課題】伝送損失が低く耐放射特性が優れた光ファイバを提供する。【解決手段】本発明の光ファイバは、コア領域と該コア領域を取り囲むクラッド領域とを有する光ファイバであって、コア領域にアルカリ金属元素及び塩素元素が添加され、コア領域における塩素元素濃度の最低値が1000原子ppm以上であり、コア領域における塩素元素濃度の平均値が13000原子ppm以下であり、コア領域におけるアルカリ金属の濃度の平均値が0.2原子ppm以上50原子ppm以下であり、コア領域に濃度15000原子ppm以下のフッ素元素が添加されており、コア領域中のアルカリ金属元素、塩素元素及びフッ素元素以外のドーパントの平均濃度がコア領域における塩素元素濃度の平均値とフッ素元素濃度の平均値との和より小さく、0.1気圧の水素分圧下に温度40°Cで3ヶ月に亘る水素処理により波長範囲1420〜1610nmにおいて損失ピークの発生が無い。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

コア領域と該コア領域を取り囲むクラッド領域とを有する光ファイバであって、 前記コア領域にアルカリ金属元素及び塩素元素が添加され、 前記コア領域における塩素元素濃度の最低値が1000原子ppm以上であり、 前記コア領域における塩素元素濃度の平均値が13000原子ppm以下であり、 前記コア領域におけるアルカリ金属の濃度の平均値が0.2原子ppm以上50原子ppm以下であり、 前記コア領域にさらに濃度15000原子ppm以下のフッ素元素が添加されており、 前記コア領域中のアルカリ金属元素、塩素元素及びフッ素元素以外のドーパントの平均濃度が、前記コア領域における塩素元素濃度の平均値とフッ素元素濃度の平均値との和より小さく、 0.1気圧の水素分圧下に温度40°Cで3ヶ月に亘る水素処理により波長範囲1420〜1610nmにおいて損失ピークの発生が無い光ファイバ。

IPC (2件)：

G02B 6/02 ,  C03C 13/04

FI (2件)：

G02B6/02 376A ,  C03C13/04

Fターム (23件)：

2H150AA07 ,  2H150AB10 ,  2H150AB15 ,  2H150AB18 ,  2H150AB70 ,  2H150AD02 ,  2H150AD03 ,  2H150AD04 ,  2H150AD12 ,  2H150AD15 ,  2H150AD17 ,  2H150AD20 ,  2H150AD32 ,  2H150AD33 ,  2H150AH05 ,  2H150AH50 ,  4G062AA06 ,  4G062BB02 ,  4G062LA08 ,  4G062LA10 ,  4G062LB08 ,  4G062MM23 ,  4G062NN35