特許
J-GLOBAL ID:201603015769676404
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-143366
公開番号(公開出願番号):特開2016-201562
出願日: 2016年07月21日
公開日(公表日): 2016年12月01日
要約:
【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供する。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体(ドナー)となりうる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される縦型トランジスタであり、酸化物半導体の厚さが1μm以上、好ましくは3μmより大、より好ましくは10μm以上であり、酸化物半導体に接する電極の一方の端部が、酸化物半導体の端部より内側にある。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の下方の、第1の電極と、
前記酸化物半導体膜の上方の、第2の電極と、
前記酸化物半導体膜の側面及び上面の、絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜の側面側の表層部は、結晶領域を有し、
前記結晶領域は、前記酸化物半導体膜の側面側の表面に対して、垂直な方向と沿うように、c軸が配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 29/41
, H01L 29/417
FI (6件):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 620
, H01L29/78 626A
, H01L21/20
, H01L29/44 L
, H01L29/50 M
Fターム (124件):
4M104AA03
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD51
, 4M104DD63
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104FF04
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH20
, 5F110AA05
, 5F110AA11
, 5F110BB12
, 5F110CC09
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE22
, 5F110EE24
, 5F110EE38
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF07
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG17
, 5F110GG22
, 5F110GG24
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK17
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
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, 5F110HK34
, 5F110HM03
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, 5F152CC02
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, 5F152CC07
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, 5F152CE10
, 5F152CE16
, 5F152EE16
, 5F152FF14
, 5F152FF15
, 5F152FF16
, 5F152FF17
, 5F152FF21
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