特許
J-GLOBAL ID:201603015784026319

探針の製造方法及び探針

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 英仁 ,  河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-043766
公開番号(公開出願番号):特開2016-161548
出願日: 2015年03月05日
公開日(公表日): 2016年09月05日
要約:
【課題】金属ナノ構造体の大きさ及び形状を制御することができる探針の製造方法、及び探針を提供する。【解決手段】SPM用の探針12の先端へ集束イオンビームを照射することにより、探針12の先端部分の酸化膜を除去する。次に、探針12を塩化金酸水溶液(金属イオン含有溶液)3に浸漬させる。探針12の酸化膜が除去された部分にAuが析出し、Auナノ構造体(金属構造体)の集合体13が形成される。これにより、先端部分に金属構造体が形成された探針12が製造される。探針12はチップ増強ラマン散乱の測定に使用される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
金属が固着した探針を製造する方法であって、 半導体製のSPM(Scanning Probe Microscope )用探針の一部の酸化膜を除去し、 金属イオン含有溶液を前記探針に接触させることによって、前記探針に金属構造体を成長させること を特徴とする製造方法。
IPC (7件):
G01N 21/65 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/38 ,  C23C 18/42 ,  G01Q 60/42 ,  G01Q 60/38
FI (7件):
G01N21/65 ,  C23C18/31 A ,  C23C18/18 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  G01Q60/42 ,  G01Q60/38 111
Fターム (29件):
2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043GA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043GB02 ,  2G043GB05 ,  2G043GB16 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA01 ,  2G043JA02 ,  2G043KA09 ,  4K022AA01 ,  4K022AA34 ,  4K022AA46 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022BA31 ,  4K022CA03 ,  4K022CA11 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4K022DB01 ,  4K022DB19
引用特許:
審査官引用 (14件)
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引用文献:
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