特許
J-GLOBAL ID：201603016006847093
不揮発性半導体記憶装置及びそのテスト方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002083
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135105
特許番号：特許第6018508号
出願日： 2013年01月09日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 mビットのデータビット用記憶素子とnビットの検査ビット用記憶素子で構成された1ユニットを基本単位とする、データビットと検査ビットを格納するための不揮発性半導体記憶素子アレイと、
前記不揮発性半導体記憶素子アレイから読み出した1ユニットのデータビットと検査ビットから誤り訂正符号を生成する誤り訂正符号生成回路と、
第1状態と第2状態を切替える制御信号を出力する制御信号生成回路と、
少なくとも前記検査ビットを含む第2状態用データと、前記データビットのうち前記第2状態用データと同じビット数の第1状態用データを入力され、前記制御信号によって前記第1状態用データと前記第2状態用データとを選択して出力するマルチプレクサと、
前記データビットのうち前記第1状態用データを除いたデータと、前記第1状態用データまたは前記第2状態用データと、前記誤り訂正符号とによって前記データビットと同数のビット数のみの誤り訂正する誤り訂正回路と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/12 ( 200 6.01)
, G11C 29/14 ( 200 6.01)
, G06F 11/10 ( 200 6.01)
G11C 29/00 673 B
, G11C 29/00 673 T
, G06F 11/10 648
