特許

J-GLOBAL ID：201603016012804142

グラフェンを含む電界効果トランジスタ

発明者： 梁 喜準 ,  朴 晟準 ,  鄭 現鍾 ,  許 鎭盛
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-201265
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070051
特許番号：特許第5982234号
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1不純物でドーピングされた半導体基板と、 前記基板上で互いに離隔されて配置された第1グラフェン及び第2グラフェンと、 前記第1グラフェン及び第2グラフェン上にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記基板で、前記第1グラフェン及び第2グラフェンの下部に、それぞれ前記第1不純物と逆極性の第2不純物でドーピングされたソース領域及びドレイン領域と、 前記半導体基板上で、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を備えることを特徴とする、電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-220543   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-261775   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-282406   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-220543   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社