特許

J-GLOBAL ID：201603016219700606

半導体装置

発明者： 高橋 秀明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013077395
公開番号（公開出願番号）：WO2014-073311
出願日： 2013年10月08日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：

半導体装置(1)は、半導体素子が実装された絶縁基板(11)と、絶縁基板(11)を収容する外囲ケース(20)と、を備える。外囲ケース(20)の側壁(20a,20b)には、両端が固定された2枚の端子導体(30-1,30-2)が設けられ、端子導体(30-1,30-2)には、それぞれ絶縁基板(11)側に向けて突起した接続端子(31-1,31-2)が設けられている。接続端子(31-1,31-2)と絶縁基板(11)上の導体箔とは半田付けされている。端子導体(30-2)の中央部近傍には、隣り合う端子導体間の距離を一定以上に保つための絶縁ブロック(32-1、32-2)が設けられている。絶縁ブロック(32-1、32-2)により、半田付け時の熱膨張による端子導体(30-1)の変形が抑制される。これにより、半田付け性の安定化を図ることができるとともに、接続不良の発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を実装した絶縁基板と、 前記絶縁基板を囲む外囲ケースと、 前記絶縁基板の上部に、前記絶縁基板の表面に平行に、かつ前記絶縁基板との間隔がそれぞれ異なるように互いに離れて対向して配置され、前記外囲ケースの側壁に両端が固定された少なくとも2枚の金属製の板状の端子導体と、 隣り合う前記端子導体の間に配置された、隣り合う前記端子導体間の距離を一定以上に保つための絶縁ブロックと、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L25/04 Z