特許

J-GLOBAL ID：201603016392049457

基板を研磨する方法

発明者： イ・グォ ,  カンチャーラ-アルン・クマール・レディ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (9件)： 特許業務法人 津国 ,  津国 肇 ,  柳橋 泰雄 ,  小澤 圭子 ,  三宅 俊男 ,  小國 泰弘 ,  田中 洋子 ,  生川 芳徳 ,  柴田 明夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-235707
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118361
特許番号：特許第6021583号
出願日： 2012年10月25日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、 二酸化ケイ素上に堆積したポリシリコンオーバーバーデンを含む基板を提供すること; ケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物[ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物は、本質的に 水、 0.1〜25重量%の≦100nmの平均粒度を有するコロイダルシリカ砥粒; 0.01〜1重量%の式(I): (式中、R1は、C2-C6アルキル基であり;そしてR2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立にC2-C6アルキル基から選択される)で示されるジ第4級カチオンよりなる]を提供すること; 第1の希釈液を提供すること; 第2の希釈液を提供すること; 第1の希釈液を第1部分のケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物に加えて、第1の研磨配合物(ここで、第1の研磨配合物は、>4.2〜11のpHを示し、そして第1の研磨配合物は、≧2,000Å/分の第1のポリシリコン除去速度及び20:1〜600:1の第1のポリシリコン対二酸化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される)を生成させること; ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること; ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面に動的接触を作り出すこと; 第1の研磨配合物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上のケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面に又はその近くに分配すること; 基板からポリシリコンオーバーバーデンを除去すること; 第2の希釈液を第2部分のケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物に加えて、第2の研磨配合物(ここで、第2の研磨配合物は、2〜4.2のpHを示し、そして第2の研磨配合物は、≧1,500Å/分の第2のポリシリコン除去速度及び1:2〜10:1の第2のポリシリコン対二酸化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される)を生成させること; 第2の研磨配合物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上のケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面に又はその近くに分配すること;そして 少なくとももう少しのポリシリコン及び少なくとも幾らかの二酸化ケイ素を基板から除去することを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B24B 37/00 ( 201 2.01) ,  B24B 37/24 ( 201 2.01) ,  C09K 3/14 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 L ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-101763   出願人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
• 研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-230839   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-299794   出願人：松下電器産業株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-289170   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨方法及び研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-305178   出願人：ソニー株式会社