半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-024294
公開番号（公開出願番号）：特開2016-119490
出願日： 2016年02月12日
公開日（公表日）： 2016年06月30日
要約：

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたSOI基板の作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】単結晶半導体基板に第1の酸化膜を形成し、第1の酸化膜を除去し、第1の酸化膜が除去された単結晶半導体基板の表面に対してレーザ光を照射し、単結晶半導体基板に第2の酸化膜を形成し、第2の酸化膜を介して単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、第2の酸化膜と半導体基板とが向かい合うように接着させ、熱処理を行うことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板と、第2の半導体基板とを用意し、前記第1の半導体基板に第1の酸化珪素を形成する工程と、前記第1の半導体基板の前記第1の酸化珪素上に第2の酸化珪素を形成する工程と、前記第1の酸化珪素及び前記第2の酸化珪素を介して前記第1の半導体基板と、前記第2の半導体基板とを接合する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、前記第1の半導体基板と、前記第2の半導体基板を接合する工程は、窒素雰囲気で加熱し、前記窒素雰囲気で冷却した後、大気雰囲気でさらに冷却する工程を有し、前記第2の酸化珪素はテトラエトキシシランを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , B23K 20/00 , B23K 20/24

FI (4件)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B , B23K20/00 310L , B23K20/24

Fターム (7件)：

4E167AA18 , 4E167BA02 , 4E167BA05 , 4E167CA01 , 4E167CA05 , 4E167CB03 , 4E167DA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

SOI基板の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-126139 出願人：ローム株式会社
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000691 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
SOI基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-124854 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社

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