特許

J-GLOBAL ID：201603016444838102

プラズマ処理装置及び方法

発明者： 深沢 信司 ,  浅野 敬祐 ,  上山 浩幸
出願人/特許権者： 株式会社JCU
代理人 (1件)： 小林 和憲
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013074607
公開番号（公開出願番号）：WO2014-065034
出願日： 2013年09月12日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：

被処理物に対するプラズマによる表面処理を均一に行うプラズマ処理装置及び方法を提供する。 基板(11)をホルダー(33)に保持して処理室内に収容する。基板(11)の表面に対向して電極セット(31,32)を配してある、各電極セット(31,32)は、高周波電極(25)及び接地電極(26)を配列した第1電極部(31a,32a)、第2電極部(31b,32b)とで構成されている。導入口から放出されるプロセスガスを各電極(25,26)の間をとおしてプラズマを発生させる。発生したプラズマによって基板(11)の表面の汚染物質を除去する。

請求項（抜粋）：

被処理物を処理室内に収容し、真空にした処理室内に導入したプロセスガスからプラズマを発生させ、このプラズマによって被処理物に処理を行うプラズマ処理装置において、 プロセスガスを処理室内に導入する導入口と、 プラズマ発生用の高周波電圧を出力する電源と、 所定の間隔で互いに平行に配列した複数の棒状の電極を被処理物に対向かつ離間して配した第1の電極部と、前記第1の電極部を挟んで被処理物に対向しかつ前記第1の電極部と離間して配された第2の電極部とを有し、前記電源からの高周波電圧によってプロセスガスを励起させてプラズマを発生させる電極セットと、 を備えるプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H05H1/46 M ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/302 101B

Fターム (47件)：

2G084AA03 ,  2G084AA07 ,  2G084BB02 ,  2G084BB05 ,  2G084BB12 ,  2G084BB14 ,  2G084BB25 ,  2G084CC03 ,  2G084CC12 ,  2G084CC33 ,  2G084DD12 ,  2G084DD14 ,  2G084DD15 ,  2G084DD17 ,  2G084DD23 ,  2G084DD25 ,  2G084DD32 ,  2G084DD66 ,  2G084FF02 ,  2G084FF03 ,  2G084FF11 ,  2G084FF15 ,  2G084FF18 ,  2G084FF32 ,  2G084FF40 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BB28 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F157AA72 ,  5F157AA91 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AC01 ,  5F157BB64 ,  5F157BG06 ,  5F157BG33 ,  5F157BG35 ,  5F157BG37 ,  5F157CF46 ,  5F157CF72 ,  5F157DB02