特許
J-GLOBAL ID：201603016512618515
ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144051
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007361
特許番号：特許第6028413号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の主面と第2の主面を有する光透過性の被転写基板の前記第1の主面上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを有する光透過性のマスターテンプレートを押し付け、前記マスターテンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記マスターテンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型して、前記被転写基板の第1の主面に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被転写基板をエッチングして、前記被転写基板の第1の主面に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記被転写基板が、前記第1の主面に相対する前記第2の主面に、前記第1の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第1の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、前記転写パターンを形成する前記第1の主面のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、
前記段差構造が前記パターン領域を含む最終的に残したい段差構造の大きさよりも広く形成されており、
前記被転写基板の第1の主面に前記凹凸の転写パターンを形成後に、前記段差構造の局所的なパターン歪みを有する外周部をエッチングして取り除き、前記段差構造を前記最終的に残したい段差構造の大きさとすることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
, B29C 33/38 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, B29C 59/02 ZNM B
, B29C 33/38
