特許

J-GLOBAL ID：201603016606877565

単結晶半導体材料の制御されたドーピングのための液体ドーピングシステムおよび方法

発明者： ステファン・ハリンジェル ,  アルマンド・ジャンナッタージオ ,  ロベルト・スカラ ,  ルイージ・ボナンノ ,  ヴァレンティーノ・モゼール
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニ
代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  山尾 憲人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-550113
公開番号（公開出願番号）：特表2016-501826
出願日： 2013年12月31日
公開日（公表日）： 2016年01月21日
要約：

液体ドーパントを半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液中に導入するためのドーピングシステムは、ドーパントを保持するためのドーパント貯蔵装置および供給管を含む。ドーパント貯蔵装置は、本体と、本体の断面積より小さい断面積を有する開口部を規定するテーパー状端部と、を含む。供給管は、貯蔵装置の開口部から伸びる第1の端部と、第1の端部から遠位の第2の端部と、供給管の第2の端部に配置された傾斜した先端部と、供給管を通過して固体ドーパントが移動することを妨げるための第1の制限と、供給管の第2の端部近傍に配置された、液体ドーパントの流量を制御するための第2の制限と、を含む。

請求項（抜粋）：

液体ドーパントを半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液中に導入するためのドーピングシステムであって、 本体と、前記本体の断面積より小さい断面積を有する開口部を規定するテーパー状端部と、を含む、ドーパントを保持するためのドーパント貯蔵装置と、 供給管であって、前記貯蔵装置の前記開口部から伸びる第1の端部と、前記第1の端部から遠位の第2の端部と、前記供給管の前記第2の端部に配置された傾斜した先端部と、前記供給管を通過して固体ドーパントが移動することを妨げるための第1の制限と、前記供給管の前記第2の端部近傍に配置された、液体ドーパントの流量を制御するための第2の制限と、を有する供給管と、 を含むドーピングシステム。

IPC (2件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

C30B15/04 ,  C30B29/06 502H

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED01 ,  4G077EG12 ,  4G077EG18 ,  4G077EG25 ,  4G077EH05 ,  4G077HA12 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB08 ,  4G077PB11 ,  4G077PB14 ,  4G077PE01 ,  4G077PG01 ,  4G077PJ01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-213136   出願人：コバレントマテリアル株式会社