特許

J-GLOBAL ID：201603016713740955

半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法

発明者： 小山 一郎 ,  岩井 悠 ,  吉田 昌史
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066655
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192349
特許番号：特許第5975918号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (A)剥離層と、(B)接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合用積層体であって、前記(A)剥離層が、(a1)200°C以上の軟化点を有し、(B)接着性層と隣接する第一剥離層と、(a2)硬化後に、ヘキサン、ヘプタン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフラン、1-メトキシ-2-プロパノール、2-アセトキシ-1-メトキシプロパン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリジノン、N-エチル-2-ピロリジノン、クロロホルム、塩化メチレン、アニソール、キシレン、およびメシチレンから選択される溶剤の少なくとも1種に25°Cで5質量%以上溶解する樹脂を有し、前記(a1)第一の剥離層に隣接する第二剥離層を有する、半導体装置製造用仮接合用積層体。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  C09J 201/00 ( 200 6.01) ,  C09J 4/00 ( 200 6.01) ,  C09J 11/06 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/304 622 J ,  C09J 201/00 ,  C09J 4/00 ,  C09J 11/06