特許

J-GLOBAL ID：201603016828927889

光電変換装置の製造方法

発明者： 西浦 憲 ,  鎌田 塁 ,  浅尾 英章 ,  梅里 計匡
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013066473
公開番号（公開出願番号）：WO2014-002796
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2014年01月03日
要約：

本発明は、光電変換装置における光電変換効率の向上を目的とする。 光電変換装置11は、電極層2上に、11族元素、インジウム元素、ガリウム元素、硫黄元素およびセレン元素を含む半導体層3を具備しており、半導体層3は、電極層2とは反対側の表面部3aにおいて、インジウム元素とガリウム元素との合計原子数に対するガリウム元素の相対原子数比および硫黄元素の相対原子数比が、電極層2から離れるに従って増加している。

請求項（抜粋）：

電極層上に、11族元素、インジウム元素、ガリウム元素、硫黄元素およびセレン元素を含む半導体層を具備しており、該半導体層は、前記電極層とは反対側の表面部において、インジウム元素とガリウム元素との合計原子数に対するガリウム元素の相対原子数比および硫黄元素の相対原子数比が、前記電極層から離れるに従って増加している光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/074

FI (1件)：

H01L31/06 460

Fターム (11件)：

5F151AA10 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151GA03