特許
J-GLOBAL ID：201603016959142950

エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素

発明者：
大木 慎一

大木 慎一 について

, 
森 義信

森 義信 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (8件)： 西島 孝喜 ,  弟子丸 健 ,  田中 伸一郎 ,  大塚 文昭 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  鈴木 信彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-061888
公開番号（公開出願番号）：特開2016-184733
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2016年10月20日
要約：
【課題】エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素を提供すること。【解決手段】反応チャンバは、シーリング板によって画定および形成される。反応物ガスは、側壁に配された反応物ガス供給経路内で、反応チャンバ内の反応物ガスの流動方向の水平成分が、反応物ガス供給経路の開口の中心から延びる方向の水平成分に対応するように整流される。エピタキシャル成長装置の上部側壁、サセプタおよび整流板を改良した結果、基板上に形成されるエピタキシャル層の均一性および形成速度が向上し、その結果、スループットがより大きくなり、欠陥が減少した。【選択図】図24A
請求項（抜粋）：
第1の表面および前記第1の表面の反対側の第2の表面を含む細長い本体と、 前記第1の表面から前記第2の表面まで延びる複数の貫通穴であり、少なくとも3つのグループに割り振られた複数の貫通穴と を備える整流板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/06
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 504C
Fターム (41件)：
4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB09 ,  4G077ED06 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  4G077TC19 ,  4G077TH10 ,  4G077TH11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA45 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20 ,  5F045EK12 ,  5F045EK14 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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