特許

J-GLOBAL ID：201603017227524287

スパッタリングターゲット

発明者： 池田 祐希
出願人/特許権者： JX金属株式会社
代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013074840
公開番号（公開出願番号）：WO2014-046040
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

Coを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する6〜25mol%の酸化物の相(以下、「酸化物相」という。)から構成されるスパッタリングターゲットであって、XRDの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が0.7以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング時の初期パーティクルの発生を抑制してバーンイン時間を低減するとともに、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットを提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Coを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する6〜25mol%の酸化物の相(以下、「酸化物相」という。)から構成されるスパッタリングターゲットであって、XRDの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が0.7以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/65

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  G11B5/851 ,  G11B5/65

Fターム (19件)：

4K029BA64 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC09 ,  5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA17 ,  5D112AA24 ,  5D112BB01 ,  5D112BB05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02 ,  5D112FB04