化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-219454
公開番号（公開出願番号）：特開2016-086125
出願日： 2014年10月28日
公開日（公表日）： 2016年05月19日
要約：

【課題】ゲート電極を有する化合物半導体装置において、比較的簡素な構成により、良好な電子輸送を得るも、電極の上方部分の端部における電界集中を緩和する、信頼性の高い高耐圧の半導体装置を実現する。【解決手段】半導体領域2と、半導体領域2の上方に形成された、上方部分と当該上方部分よりも幅狭の下方部分とが一体とされたゲート電極7と、半導体領域2の表面を覆う保護絶縁膜6とを含み、保護絶縁膜6は、ゲート電極7の前記上方部分の端部と接触する部分の厚みが他の部分の厚みよりも薄い。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

化合物半導体層と、前記化合物半導体層の上方に形成されたゲート電極と、前記化合物半導体層に平行な方向において、前記ゲート電極を挟む位置に形成された、ソース電極及びドレイン電極と、前記化合物半導体層の表面を覆う絶縁膜とを含み、前記絶縁膜は、前記化合物半導体層と前記ゲート電極との間に形成された、前記ゲート電極と接している部分の膜厚が、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間で前記化合物半導体層の表面を覆った部分の膜厚よりも小さいことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/78 617S , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/78 619A , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G

Fターム (89件)：

5F102FA01 , 5F102GA14 , 5F102GA15 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F110AA12 , 5F110BB13 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG42 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ14 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD07 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE16 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE02

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