高分子基材上に付着金属のパターンを形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 高橋正俊 , 加藤憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-021732
公開番号（公開出願番号）：特開2016-105504
出願日： 2016年02月08日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
要約：

【課題】高分子基材上に付着金属のパターンを形成する方法を提供すること。【解決手段】当該方法は、陥凹領域と隣接する隆起領域とを有するレリーフパターンを備える主表面を有する高分子フィルム基材を提供すること、第1の材料を前記高分子フィルム基材の主表面に付着してコーティングされた高分子フィルム基材を形成すること、前記コーティングされた高分子フィルム基材の隆起領域に機能性材料の層を選択的に形成し、機能化された隆起領域と機能化されていない陥凹領域とを形成すること、及び付着金属を機能化されていない陥凹領域に選択的に無電解沈着することを包含する。【選択図】図1H

請求項（抜粋）：

高分子フィルム基材上に付着金属のパターンを形成する方法であって、陥凹領域と、隣接する隆起領域とを含むレリーフパターンを備える主表面を有する高分子フィルム基材を提供する工程と、コーティングされた高分子フィルム基材を形成するために第1の材料を前記高分子フィルム基材の主表面に付着する工程と、機能化された隆起領域と機能化されていない陥凹領域とを形成するため、前記コーティングされた高分子フィルム基材の隆起領域上に機能性材料の層を選択的に形成する工程と、付着金属を前記機能化されていない陥凹領域に選択的に無電解沈着し、付着金属のパターンを形成された高分子フィルム基材を形成する工程と、を含む、方法。

IPC (2件)：

H05K 3/10 , H05K 3/18

FI (3件)：

H05K3/10 E , H05K3/18 J , H05K3/18 D

Fターム (21件)：

5E343AA03 , 5E343AA12 , 5E343AA33 , 5E343AA34 , 5E343BB03 , 5E343BB16 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB34 , 5E343BB44 , 5E343BB45 , 5E343BB47 , 5E343BB48 , 5E343CC71 , 5E343DD33 , 5E343DD76 , 5E343EE60 , 5E343ER02 , 5E343ER11 , 5E343GG11

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