特許

J-GLOBAL ID：201603017740913159

半導体装置

発明者： 増岡 史仁 ,  中村 勝光 ,  西井 昭人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-522327
特許番号：特許第5971414号
出願日： 2013年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型ドリフト層と、 前記n型ドリフト層の上面に設けられたp型アノード層と、 前記n型ドリフト層の下面に設けられたカソード層と、 前記n型ドリフト層と前記カソード層の間に設けられたn型バッファ層とを備え、 前記n型バッファ層のピーク濃度は、前記n型ドリフト層より高く、前記カソード層より低く、 前記n型バッファ層のキャリア濃度は、前記n型ドリフト層側から前記カソード層側に向かって深さの指数関数で増加し、 前記n型ドリフト層と前記n型バッファ層の接続部分における前記n型バッファ層の前記キャリア濃度の傾斜が20〜2000cm-4であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-288249   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305303   出願人：三菱電機株式会社