特許
J-GLOBAL ID：201603017758983782
パターンを形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柏岡 潤二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-085940
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209514
特許番号：特許第6029522号
出願日： 2013年04月16日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理体の下地層上にパターンを形成する方法であって、
前記下地層上に第1のポリマー及び第2のポリマーを含む自己組織化可能なブロック・コポリマー層を形成する工程と、
前記ブロック・コポリマー層に前記第1のポリマーを含む第1の領域及び前記第2のポリマーを含む第2の領域を形成するよう前記被処理体を処理する工程と、
前記被処理体を処理する工程の後、容量結合型のプラズマ処理装置内において前記第2の領域の膜厚の途中まで前記第2の領域をエッチングする工程と、
前記第2の領域をエッチングする工程の後、前記プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加して該上部電極から二次電子を発生させ、前記二次電子を前記被処理体に照射する工程と、
前記二次電子を前記被処理体に照射する工程の後、前記プラズマ処理装置内において前記第2の領域を更にエッチングする工程と、
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 105 A
, H01L 21/302 101 B
