特許

J-GLOBAL ID：201603017841390750

基板、複合微細凹凸パターンを形成する方法、基板を製造する方法、複合微細凹凸パターンを変化させる方法及び分離手段

発明者： 遠藤 洋史 ,  河合 武司 ,  木村 亨 ,  辻 珠実
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-222713
公開番号（公開出願番号）：特開2016-087881
出願日： 2014年10月31日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：

【課題】凹凸の周期や振幅が異なる少なくとも2つの微細凹凸パターンを複合させ、簡便な方法により目的に応じた微細凹凸パターンの利用を可能にする基板、該複合微細凹凸パターンを形成する方法、該基板を製造する方法、複合微細凹凸パターンを変化させる方法及び該基板を用いる分離手段を提供すること。【解決手段】第1の微細凹凸パターン及び第2の微細凹凸パターンを含む複合微細凹凸パターンを表面に有する伸縮可能な基板であって、前記第1の微細凹凸パターンと前記第2の微細凹凸パターンとは相互に重なり合い、前記第1の微細凹凸パターンは、前記第2の微細凹凸パターンよりも凹凸の振幅及び/又は周期が小さいものである、基板。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の微細凹凸パターン及び第2の微細凹凸パターンを含む複合微細凹凸パターンを表面に有する伸縮可能な基板であって、 前記第1の微細凹凸パターンと前記第2の微細凹凸パターンとは相互に重なり合い、 前記第1の微細凹凸パターンは、前記第2の微細凹凸パターンよりも凹凸の振幅及び/又は周期が小さいものである、基板。

IPC (2件)：

B29C 59/02 ,  B29C 33/38

FI (2件)：

B29C59/02 B ,  B29C33/38

Fターム (23件)：

4F202AA44 ,  4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ03 ,  4F202AR01 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CB29 ,  4F202CC10 ,  4F202CD05 ,  4F202CD23 ,  4F202CK12 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AJ03 ,  4F209AR01 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11