特許

J-GLOBAL ID：201603017894284588

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 河田 泰之 ,  米澤 喜幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-190096
公開番号（公開出願番号）：特開2014-047090
特許番号：特許第6019938号
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 珪素を含むガスおよび炭素を含むガスに塩素を含むガスを添加したガス雰囲気に炭化珪素半導体基板をさらし、前記炭化珪素半導体基板上に炭化珪素半導体膜を成長させる第1工程と、 前記炭化珪素半導体膜の成長中に、前記ガス雰囲気中の前記珪素を含むガスに対する前記塩素を含むガスの導入量を徐々に減少させる第2工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 25/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/205