特許
J-GLOBAL ID：201603017979525150

トランジスタ及びその製造方法

発明者：
吉田 宏

吉田 宏 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117354
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247127
特許番号：特許第5938272号
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ソース領域と、 ドレイン領域と、 前記ソース領域と、前記ドレイン領域との間において、チャネル長方向に延設されるとともに、チャネル幅方向に並設された複数のトレンチと、 前記複数のトレンチの側面上に形成されたエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層を覆うゲート酸化膜と、 前記ゲート酸化膜上を覆うとともに、前記複数のトレンチに埋め込まれたゲート電極とを備え、 前記複数のトレンチの底面には、前記エピタキシャル層が形成されていないことを特徴とする、トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/78 301 H ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 V
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM