特許
J-GLOBAL ID：201603018122386586

平坦なSiC半導体基板

発明者：
マーク ロボダ

マーク ロボダ について

, 
クリストファー パルフェニウク

クリストファー パルフェニウク について


出願人/特許権者：
ダウ コーニング コーポレーション

ダウ コーニング コーポレーション について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  池田 浩 ,  福井 敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-539598
公開番号（公開出願番号）：特表2016-501809
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2016年01月21日
要約：
反り(bow)、歪み(warp)、TTV(Total Thickness variation)、LTV(Local Thickness Variation)、及びSFQR(Site Front side least sQuares focal plane Range)に対する優れた仕様を有する炭化ケイ素ウェハを製造する方法。結果として生じるSiCウェハはSiCのエピタキシャル堆積に適する鏡面状の表面を有する。ウェハの反り、歪み、TTV、LTV、及びSFQRに対する仕様は、エピタキシ層を追加した後、維持される。
請求項（抜粋）：
裏面とエピタキシャル堆積の状態にされた表面とを有する研磨された炭化ケイ素ウェハを含み、前記研磨された炭化ケイ素ウェハが、1平方cmのサイトサイズを基準にして、0.1〜1.5μmのLTV(Local Thickness Variation)及び0.01〜0.3μmのSFQR(Site Front side least sQuares focal plane Range)を有する、基板。
IPC (5件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  C30B 33/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/304
FI (10件)：
C30B29/36 A ,  H01L21/205 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 611 ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 601B ,  H01L21/304 621A ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622G
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB02 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB10 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE03 ,  4G077EG04 ,  4G077FG04 ,  4G077FG12 ,  4G077FG13 ,  4G077FG17 ,  4G077HA12 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F045AB06 ,  5F045AC15 ,  5F045AF02 ,  5F045BB01 ,  5F045BB11 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F045GH02 ,  5F045GH03 ,  5F045HA03 ,  5F057AA02 ,  5F057AA03 ,  5F057BA01 ,  5F057BA11 ,  5F057BB09 ,  5F057CA02 ,  5F057CA09 ,  5F057CA11 ,  5F057CA19 ,  5F057DA03 ,  5F057DA05 ,  5F057DA11 ,  5F057DA28 ,  5F057EB16 ,  5F057EC10
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体ウェハの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-247743   出願人：SUMCOTECHXIV株式会社
  • 研磨装置及び方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019020   出願人：信越半導体株式会社, 三益半導体工業株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM