特許
J-GLOBAL ID：201603018566050231
電磁流量計の励磁回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-071241
公開番号（公開出願番号）：特開2014-194393
特許番号：特許第5977702号
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 測定管の外側に配置された励磁コイルに励磁電流を供給し、これに応じて当該測定管内の流体に発生した起電力を、当該測定管に配置された一対の電極から検出し、この起電力に基づき当該流体の流量値を測定する電磁流量計で用いられる励磁回路であって、
励磁周波数を持つパルス信号からなり、互いに逆位相となる第1および第2の励磁信号に基づいて、電流入力端子と電流出力端子との間に供給された電圧の極性を切り替えて前記励磁コイルに印加することにより、前記励磁コイルへ交流の励磁電流を供給する切替回路と、
前記励磁コイルから発生する逆起電圧を整流して、容量素子へ充電するダイオードブリッジと、
前記容量素子に充電された充電電圧が電源電位より高い検出遮断期間を検出し、検出遮断信号として出力する検出回路と、
2つの接点端子により前記電源電位と前記電流入力端子との間の接続/遮断を制御するとともに、前記電源電位側に接続された一方の接点端子から前記電流入力端子側に接続された他方の接点端子へ電流を流す第1の寄生ダイオードを含む第1のMOSFETを有し、前記検出回路からの前記検出遮断信号に基づいて、前記検出遮断期間において前記第1のMOSFETをオフ状態に制御し、前記検出遮断期間以外の期間において前記第1のMOSFETをオン状態に制御する遮断回路とを備え、
前記切替回路は、
一方の接点端子が前記電流入力端子に接続されて、前記第1の励磁信号に応じてオン/オフ動作する第1のスイッチ回路と、
一方の接点端子が前記電流入力端子に接続されて、前記第2の励磁信号に応じてオン/オフ動作する第2のスイッチ回路と、
一方の接点端子が前記励磁コイルの一端に接続され、他方の接点端子が前記電流出力端子に接続されて、前記第2の励磁信号に応じてオン/オフ動作する第3のスイッチ回路と、
一方の接点端子が前記励磁コイルの他端に接続され、他方の接点端子が前記電流出力端子に接続されて、前記第1の励磁信号に応じてオン/オフ動作する第4のスイッチ回路と、
前記第1の励磁信号の立ち上がりを遅延させることにより、前記第1のスイッチ回路のオン動作を遅延させる第1のオンディレイ回路と、
前記第2の励磁信号の立ち上がりを遅延させることにより、前記第2のスイッチ回路のオン動作を遅延させる第2のオンディレイ回路とを有し、
前記励磁回路は、
前記容量素子から前記励磁コイルの前記一端に対する放電電流の供給を、前記第1の励磁信号に応じてオン/オフ制御する第5のスイッチ回路と、
前記容量素子から前記励磁コイルの前記他端に対する放電電流の供給を、前記第2の励磁信号に応じてオン/オフ制御する第6のスイッチ回路とをさらに備える
ことを特徴とする励磁回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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