特許
J-GLOBAL ID：201603018599864277
トランジスタアレイ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-551961
公開番号（公開出願番号）：特表2016-503967
出願日： 2013年12月12日
公開日（公表日）： 2016年02月08日
要約：
トランジスタアレイは、基板(100)と、当該基板(100)を共用する若干のトランジスタユニットとを含み、トランジスタユニット(200)は、基板(100)上に位置する下電極(201)及び下電極の引き出し線と、下電極(201)上に位置する圧電材料である圧電体(202)と、圧電体(202)上に位置する上電極(203)と、を含む。更に、トランジスタアレイの製造方法を提供する。トランジスタアレイにおけるトランジスタユニット(200)は、二端子部材であり、トランジスタユニット(200)における上電極(203)と下電極(201)との間に圧電性質を有する圧電体(202)が配置され、トランジスタユニット(200)に印加される外力に応じて、トランジスタアレイにおけるトランジスタユニット(200)のキャリアの伝送を効果的に制御したりトリガーしたりする。
請求項（抜粋）：
基板と、当該基板を共用する若干のトランジスタユニットとを含み、
前記トランジスタユニットは、
前記基板上に位置する下電極及び下電極の引き出し線と、
前記下電極上に位置する圧電材料である圧電体と、
前記圧電体上に位置する上電極と、を含む、
ことを特徴とするトランジスタアレイ。
IPC (4件)：
H01L 41/113
, H01L 41/193
, H01L 41/187
, H01L 41/23
H01L41/113
, H01L41/193
, H01L41/187
, H01L41/23
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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