特許

J-GLOBAL ID：201603018956793065

垂直共振面発光レーザ素子、垂直共振面発光レーザアレイ素子

発明者： 岩田 圭司 ,  松原 一平 ,  粉奈 孝行 ,  渡邊 博 ,  柳ヶ瀬 雅司
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013064302
公開番号（公開出願番号）：WO2013-176202
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

垂直共振面発光レーザ素子(10)の表面には、カソード用電極(911)、カソード用パッド電極(912A,912B)、カソード用配線電極(913A,913B)、アノード用電極(921)、アノード用パッド電極(922)、アノード用配線電極(923)が配置されている。アノード用電極(921)の直下には、活性層をクラッド層およびDBR層で挟持した構成の発光領域多層部が形成されている。この発光領域多層部が形成されている領域が発光領域(700)となる。発光領域(700)は、第1の方向に対して、平コレットが吸着する吸着領域(800)よりも第1の方向の一方端側に、吸着領域(800)に略接するもしくは所定距離だけ離間するように配置される。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、 該ベース基板の表面に形成されたN型半導体多層膜反射層、量子井戸を備える活性層、P型半導体多層膜反射層と、 前記P型半導体多層膜反射層に接続されるアノード用電極と、 前記N型半導体多層膜反射層に接続されるカソード用電極と、を備え、 前記ベース基板の表面側から見て、前記ベース基板よりも狭い領域で少なくとも前記N型半導体多層膜反射層以上の層を含んでおり、レーザ光を発光する発光領域多層部を形成し、 前記ベース基板の前記発光領域多層部側が吸着されて外部回路基板に実装される、垂直共振面発光レーザ素子であって、 前記ベース基板の表面側から見て、前記発光領域多層部の形成領域と、前記吸着される領域とが異なる、垂直共振面発光レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/42

FI (4件)：

H01S5/183 ,  H01S5/022 ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/42

Fターム (22件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD05 ,  5F173AH02 ,  5F173AK22 ,  5F173AK23 ,  5F173AR37 ,  5F173AR58 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96 ,  5F173AR99 ,  5F173MC03 ,  5F173MC05 ,  5F173MC23 ,  5F173MC25 ,  5F173MD59 ,  5F173MD62 ,  5F173MD65 ,  5F173MD76