特許
J-GLOBAL ID:201603018982924402
コロイドシリカの製造方法及びCMP用スラリーの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-111020
公開番号(公開出願番号):特開2013-227182
特許番号:特許第5972660号
出願日: 2012年05月14日
公開日(公表日): 2013年11月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 シリコンインゴットから半導体チップ用又は太陽電池用の半導体に至るまでの製造工程の一部を兼ね、且つ、切断工程及び研削工程の少なくとも一方を含み、前記シリコンインゴットからシリコン粒子を製造するシリコン粒子製造工程と、
水酸化テトラメチルアンモニウムである塩基性材料と、前記シリコン粒子と、水とを混合し、コロイドシリカを生成するコロイドシリカ生成工程と、
を有することを特徴とするコロイドシリカの製造方法。
IPC (4件):
C01B 33/14 ( 200 6.01)
, C09K 3/14 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 201 2.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
FI (6件):
C01B 33/14
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, H01L 21/304 622 C
, H01L 21/304 622 B
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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シリコンスラッジの処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-051614
出願人:内田工業株式会社
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特開昭53-005098
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特開昭53-005098
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