特許

J-GLOBAL ID：201603018988053977

無電解めっきの下地皮膜形成用組成物

発明者： 手嶋 彩由里 ,  竹村 康孝 ,  村橋 浩一郎 ,  大塚 顕邦 ,  御田村 紘志 ,  渡瀬 星児 ,  松川 公洋
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社 ,  地方独立行政法人 大阪市立工業研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-018294
公開番号（公開出願番号）：特開2016-141837
出願日： 2015年02月02日
公開日（公表日）： 2016年08月08日
要約：

【課題】環境への負担が少なく、低コストで簡便な操作により、不導体基材上に高い密着性を有する無電解めっき皮膜を形成することが可能な、無電解めっきの下地皮膜形成用組成物を提供する。【解決手段】ポリシルセスキオキサン化合物及び金属ナノ粒子を含有する無電解めっきの下地皮膜形成用組成物であって、前記ポリシルセスキオキサン化合物が、分子内に、金属イオンの還元能を有する有機基、及び金属原子の凝集抑制能を有する有機基を有するポリシルセスキオキサンである、無電解めっきの下地皮膜形成用組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリシルセスキオキサン化合物及び金属ナノ粒子を含有する無電解めっきの下地皮膜形成用組成物であって、 前記ポリシルセスキオキサン化合物が、分子内に、金属イオンの還元能を有する有機基、及び金属原子の凝集抑制能を有する有機基を有するポリシルセスキオキサンである、無電解めっきの下地皮膜形成用組成物。

IPC (3件)：

C23C 18/18 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38

FI (3件)：

C23C18/18 ,  H05K3/18 B ,  H05K3/38 A

Fターム (13件)：

4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA13 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343AA38 ,  5E343DD43 ,  5E343FF17 ,  5E343GG02

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 第I編 表面技術基礎編