特許
J-GLOBAL ID：201603019013562567
耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
奥田 誠司
, 喜多 修市
, 梶谷 美道
, 三宅 章子
, 岡部 英隆
, 川喜田 徹
, 田中 悠
, 村瀬 成康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-226862
公開番号（公開出願番号）：特開2016-105278
出願日： 2015年11月19日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
要約：
【課題】セキュリティー性により優れたディジタルIDデータを生成するためのPUF(物理的複製困難関数)技術を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、電気的信号の印加に応じ抵抗値が複数の抵抗値範囲間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイ20と、各々が複数のメモリセルの1つの抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路11と、複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づき2値化基準値(中央値)を算出する演算回路25と、データ調整回路5とを備える。読み出し回路は、2値化基準値に基づき、前記複数の抵抗値情報の各々に対して0または1を割り当てて、0および1のディジタルデータの少なくとも1つを含む複数のディジタルデータを生成し、データ調整回路は、0および1のディジタルデータの個数差に応じて2値化基準値の調整の要否を決定する。【選択図】図39
請求項（抜粋）：
可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、
各々が前記複数のメモリセルの1つの前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、
前記複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、
データ調整回路と、を備え、
前記読み出し回路は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々に対して0または1を割り当てることにより、0のディジタルデータおよび1のディジタルデータの少なくとも1つを含む複数のディジタルデータを生成し、
前記データ調整回路は、前記複数のディジタルデータにおける前記0のディジタルデータおよび前記1のディジタルデータの個数差に応じて、前記2値化基準値の調整の要否を決定する、不揮発性メモリ装置。
IPC (4件)：
G06F 21/73
, H04L 9/10
, G11C 13/00
, G06K 19/073
G06F21/73
, H04L9/00 621Z
, G11C13/00 215
, G11C13/00 270J
, G11C13/00 400E
, G11C13/00 400F
, G06K19/073 063
, G11C13/00 420
