特許

J-GLOBAL ID：201603019125236603

過電流保護電源装置

発明者： 大島 俊蔵
出願人/特許権者： 大島俊蔵
代理人 (2件)： 池田 敏行 ,  岩田 哲幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062661
公開番号（公開出願番号）：WO2013-165004
出願日： 2013年04月30日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】高電圧の直流電源から負荷に電力を供給するFETを、安価で確実に過電流から保護することができる技術を提供する。【解決手段】高電圧の直流電源63からFET60を介して負荷66に電力が供給される。ドレイン・ソース間電圧検出回路2は、FET60のドレイン・ソース間電圧VDSを検出する。第1過電流保護信号生成回路7は、FET60のドレイン・ソース間電圧VDSの値に基づいて第1過電流保護信号を出力する。第2過電流保護信号生成回路8は、FET60のドレイン・ソース間電圧VDSの値の増加勾配(増加率)に基づいて第2過電流保護信号を出力する。制御回路16は、第1過電流保護信号生成回路7から第1過電流保護信号が出力された場合あるいは第2過電流保護信号生成回路8から第2過電流保護信号が出力された場合にFET60をオフして過電流保護を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直流電源からFETを介して負荷に電力を供給する電力供給回路と、前記FETを制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前記FETをオフすることによって前記電力供給回路を過電流から保護する過電流保護電源装置であって、 前記FETにドレイン電流が流れることによってドレイン・ソース間に発生するドレイン・ソース間電圧を検出するドレイン・ソース間電圧検出回路と、 前記FETをオンさせるときに、前記ドレイン・ソース間電圧検出回路によるドレイン・ソース間電圧の検出動作を、前記FETが、ドレイン電流の増大に応じてドレイン・ソース間電圧が増大する状態になってから開始させるドレイン・ソース間電圧検出開始回路と、 前記ドレイン・ソース間電圧に基づいて第1過電流保護信号を出力する第1過電流保護信号生成回路と、 前記ドレイン・ソース間電圧の増加率に基づいて第2過電流保護信号を出力する第2過電流保護信号生成回路を備え、 前記制御回路は、前記第1過電流保護信号生成回路から前記第1過電流保護信号が出力されたことによりあるいは前記第2過電流保護信号生成回路から前記第2過電流保護信号が出力されたことにより前記FETをオフするように構成されていることを特徴とする過電流保護電源装置。

IPC (2件)：

H03K 17/08 ,  H03K 17/687

FI (2件)：

H03K17/08 C ,  H03K17/687 A

Fターム (22件)：

5J055AX32 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX13 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY05 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ03 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ25 ,  5J055EZ34 ,  5J055FX05 ,  5J055FX08 ,  5J055FX13 ,  5J055FX21 ,  5J055FX32 ,  5J055FX33