特許
J-GLOBAL ID：201603019296147366
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉川 修一
, 傍島 正朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-549663
特許番号：特許第6007445号
出願日： 2013年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を準備する工程と、
前記基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に、有機材料と主成分としてシリコンとを含むエッチストッパ層を形成する工程と、
前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するように、ソース電極及びドレイン電極を互いに対向配置して形成する工程と、
前記半導体膜をドライエッチングして、区画された半導体層を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した前記エッチストッパ層の表面層が前記ドライエッチングにより変質した変質層のうち、前記半導体層と接触する領域の少なくとも一部を除去する工程と、
前記変質層が除去された領域において前記半導体層と接触するように、酸化シリコンからなるパッシベーション層を形成する工程と、を含む、
薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 C
