特許
J-GLOBAL ID：201603019358934483

光集積素子の製造方法

発明者：
勝山 智和

勝山 智和 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  寺澤 正太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008030
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149723
特許番号：特許第5880063号
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定方向に並ぶ第1及び第2の領域を含む主面を有する半導体基板の前記第1及び第2の領域上に、第1の光導波層、前記第1の光導波層上に位置する第1及び第2のクラッド層、並びに前記第1及び第2のクラッド層とは組成が異なり前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に位置する第1のエッチング停止層を含む第1の半導体積層部を成長させる第1の成長工程と、 前記第1の半導体積層部のうち前記第1の領域上に成長した部分を覆う第1のエッチングマスクを前記第1の半導体積層部上に形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の半導体積層部のうち前記第2の領域上に成長した部分にエッチングを施すことにより前記第1の光導波層の端面を露出させる第1のエッチング工程と、 前記第1の光導波層に結合される第2の光導波層、前記第2の光導波層上に位置する第3及び第4のクラッド層、並びに前記第3及び第4のクラッド層とは組成が異なり前記第3及び第4のクラッド層との間に位置する第2のエッチング停止層を含む第2の半導体積層部を、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第2の領域上に選択的に成長させたのち、前記第1のエッチングマスクを除去する第2の成長工程と、 前記所定方向を長手方向とする第2のエッチングマスクを前記第1及び第2の半導体積層部上に形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記第2及び第4のクラッド層に対しエッチングを施すことによりリッジ構造を形成する第2のエッチング工程と を備え、 前記第1のエッチング工程は、前記第1のエッチング停止層に対するエッチング速度が前記第1及び第2のクラッド層に対するエッチング速度よりも速いエッチャントを用いてウェットエッチングを行うことにより前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に庇を形成する第1の庇形成工程を含んでおり、 前記第2の成長工程では、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に形成された庇を用いて前記第2の光導波層を形成することにより、前記半導体基板の前記主面から前記第2のエッチング停止層の上面までの高さが前記半導体基板の前記主面から前記第1のエッチング停止層の上面までの高さとほぼ同じとなり、 前記第2のエッチング工程は、前記第2及び第4のクラッド層に対するエッチング速度が前記第1及び第2のエッチング停止層に対するエッチング速度よりも速いエッチャントを用いてウェットエッチングを行い、前記第1及び第2のエッチング停止層で該ウェットエッチングを停止する深さ制御工程を含む ことを特徴とする、光集積素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/026 ( 200 6.01) ,  H01S 5/12 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01S 5/026 616 ,  H01S 5/12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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