特許
J-GLOBAL ID:201603019360030729
R-T-B系焼結磁石の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
奥田 誠司
, 喜多 修市
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-553761
特許番号:特許第5880448号
出願日: 2012年01月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 少なくとも1つのR-T-B系焼結磁石素材(Rは希土類元素、TはFeまたはFeとCo)を準備する工程と、
重希土類元素RH(Dyおよび/またはTb)および30質量%以上80質量%以下のFeを含有し、各々の粒径が53μm超5600μm以下の複数のRH拡散源を準備する工程と、
前記R-T-B系焼結磁石素材、および、前記複数のRH拡散源を処理容器内に配置する配置工程であって、前記複数のRH拡散源の幾つかを前記R-T-B系焼結磁石素材に接触させる配置工程と、
前記処理容器内において、前記複数のRH拡散源の幾つかが接触した状態の前記R-T-B系焼結磁石素材、ならびに、前記R-T-B系焼結磁石素材に接触するRH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石素材に接触していないRH拡散源に対して、圧力5000Pa以下の不活性雰囲気下、800°C以上1000°C以下の温度で熱処理を行うRH拡散工程と、
前記RH拡散工程後に、前記R-T-B系焼結磁石素材から前記複数のRH拡散源を離間させる分離工程と、
を含む、R-T-B系焼結磁石の製造方法。
IPC (6件):
H01F 41/02 ( 200 6.01)
, H01F 1/057 ( 200 6.01)
, B22F 3/24 ( 200 6.01)
, H01F 1/08 ( 200 6.01)
, H01F 7/02 ( 200 6.01)
, C22C 38/00 ( 200 6.01)
FI (6件):
H01F 41/02 G
, H01F 1/04 H
, B22F 3/24 K
, H01F 1/08 B
, H01F 7/02 E
, C22C 38/00 303 D
引用特許:
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