特許
J-GLOBAL ID：201603019398056713
ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039346
公開番号（公開出願番号）：特開2014-167984
特許番号：特許第6020256号
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セラミックス基板の一方の面に回路層、他方の面に放熱層が接合されるとともに、前記放熱層にヒートシンクが接合されてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記回路層の2倍以上の厚さを有し前記回路層と同じ材質からなる金属板の両側表面にそれぞれ前記セラミックス基板、前記放熱層、前記ヒートシンクをこの順に積層し、接合した接合体を形成する接合工程と、
前記接合工程で得られた接合体における前記金属板を厚さ方向の途中位置で面方向に沿って切断する切断工程と
を備えることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 23/36 C
, H01L 23/12 J
