特許

J-GLOBAL ID：201603019406370651

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 手賀 直樹 ,  久本 大 ,  秋山 悟 ,  高濱 高 ,  森本 忠雄 ,  土屋 龍太
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-558322
特許番号：特許第5985662号
出願日： 2013年01月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1主面および前記第1主面と反対面の第2主面を有し、炭化珪素からなる第1導電型の基板と、 前記第1主面上に配置された炭化珪素からなる第1導電型ドリフト層と、 前記ドリフト層上に配置された前記第1導電型とは異なる第2導電型のボディ層と、 前記ボディ層に接する第1導電型のソース領域と、 前記ボディ層内を貫通して前記ドリフト層まで至るトレンチと、 前記トレンチの内壁に配置されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記ボディ層に接するゲート電極と、 前記基板の第2主面に配置された第1導電型のドレイン領域と、 前記ドリフト層内のトレンチに接する抵抗緩和層と、 前記抵抗緩和層の底部の一部に接し、前記第1主面に沿う第1方向および前記第1方向に対して直交し前記第1主面に沿う第2方向のそれぞれにおいて、前記抵抗緩和層より幅が広い電界緩和層を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (18件)：

H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 658 J ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 R ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 602 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-027996   出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 特許第4564362号
  
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-002286   出願人：株式会社デンソー