特許

J-GLOBAL ID：201603019481150080

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 守山 善也 ,  藤本 裕雅 ,  佐伯 幸作 ,  高橋 信義
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013003489
公開番号（公開出願番号）：WO2014-002390
出願日： 2013年06月03日
公開日（公表日）： 2014年01月03日
要約：

固体撮像装置は、半導体基板(201)と、半導体基板(201)に形成された画素部(250)と、半導体基板(201)の画素部(250)の周辺に形成された周辺回路部(260)とを備え、画素部(250)は、入射光を光電変換することで電荷を生成する光電変換膜(217)と、前記電荷を保持するためのn型拡散層(205)とを備え、周辺回路部(260)は、ゲート電極(204D)と2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)とを備えるNchMOSトランジスタ(225)を備え、2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)の不純物濃度は、n型拡散層(205)の不純物濃度よりも高い。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に形成された画素部と、 前記半導体基板の前記画素部の周辺に形成された周辺回路部とを備え、 前記画素部は、 入射光を光電変換することで電荷を生成する光電変換膜と、 前記電荷を保持するための浮遊拡散層とを備え、 前記周辺回路部は、ゲート電極と2つのソース・ドレイン拡散層とを備えるMOSトランジスタを備え、 前記2つのソース・ドレイン拡散層の不純物濃度は、前記浮遊拡散層の不純物濃度よりも高い 固体撮像装置。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (2件)：

H01L27/14 E ,  H01L27/14 A

Fターム (14件)：

4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33