特許

J-GLOBAL ID：201603019580145020

半導体装置

発明者： 井口 研一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013061311
公開番号（公開出願番号）：WO2013-172140
出願日： 2013年04月16日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

半導体チップ(100)の裏面の凹部(103)を囲むように配置される略矩形環状のリブ(101)に、空気抜き用の溝(105)を形成する。溝(105)は、リブ(101)の各辺または各コーナーにリブ(101)の内周から外周に横断するような形状とする。また、溝(105)の深さは、チップ裏面の凹部(103)と同じ深さもしくはこれよりも浅くする。これにより、半導体チップ(100)の裏面に凹部(103)を設けて当該凹部(103)の外周にリブ(101)を備える半導体装置を、凹部(103)に設けられたドレイン電極に対してボイド不良を生じさせることなく確実にベース基板にはんだ付けすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板のおもて面に設けられた、前記半導体基板の厚さ方向に電流を流すための素子構造と、 前記素子構造に対向する前記半導体基板の裏面に設けられた凹部と、 前記凹部の外周に設けられ当該凹部の側壁をなす、前記半導体基板の前記凹部が形成された部分の厚さよりも厚さが厚いリブと、 前記リブに設けられた、当該リブの内周から外周に当該リブを横断する複数の溝と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652J