特許
J-GLOBAL ID:201603019768990585
多層構造体およびそれを用いたデバイス、ならびにそれらの製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鎌田 耕一
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013003697
公開番号(公開出願番号):WO2013-187064
出願日: 2013年06月12日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
デバイスの保護に用いることができる新規な多層構造体およびそれを用いたデバイスを提供する。開示される多層構造体は、基材と当該基材に積層されたバリア層とを含む多層構造体である。当該基材の、少なくとも一方向の3%歪み時張力が2000N/m以上である。バリア層は反応生成物(R)を含む。当該反応生成物(R)は、少なくとも金属酸化物(A)とリン化合物(B)とが反応してなる反応生成物である。800〜1400cm-1の範囲におけるバリア層の赤外線吸収スペクトルにおいて赤外線吸収が最大となる波数(n1)は、1080〜1130cm-1の範囲にある。金属酸化物(A)を構成する金属原子は、実質的にアルミニウム原子である。
請求項(抜粋):
基材と前記基材に積層されたバリア層とを含む多層構造体であって、
前記基材の、少なくとも一方向の3%歪み時張力が2000N/m以上であり、
前記バリア層は反応生成物(R)を含み、
前記反応生成物(R)は、少なくとも金属酸化物(A)とリン化合物(B)とが反応してなる反応生成物であり、
800〜1400cm-1の範囲における前記バリア層の赤外線吸収スペクトルにおいて赤外線吸収が最大となる波数(n1)が1080〜1130cm-1の範囲にあり、
前記金属酸化物(A)を構成する金属原子が、実質的にアルミニウム原子である、多層構造体。
IPC (3件):
B32B 9/00
, B32B 37/00
, H01L 31/048
FI (3件):
B32B9/00 A
, B32B31/22
, H01L31/04 560
Fターム (25件):
4F100AA01D
, 4F100AA19B
, 4F100AA19C
, 4F100AK25E
, 4F100AK42
, 4F100AS00B
, 4F100AS00C
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA05
, 4F100EH46
, 4F100EH66
, 4F100EJ42
, 4F100GB41
, 4F100JD01
, 4F100JD01B
, 4F100JD01C
, 4F100JK17
, 4F100JN01
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 5F151AA02
, 5F151BA18
, 5F151GA05
, 5F151JA06
前のページに戻る