特許
J-GLOBAL ID：201603019819321691

半導体装置

発明者：
大川 峰司

大川 峰司 について

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江口 博臣

江口 博臣 について

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木島 慎弥

木島 慎弥 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189038
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049495
特許番号：特許第5971035号
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜が設けられた前記基板上に設けられた半導体層とを有し、前記半導体層中にバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、 前記半導体層の上面に、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極のコンタクト部と前記バイポーラトランジスタのエミッタ電極のコンタクト部とを備え、 前記半導体層の下面のうち、前記コレクタ電極のコンタクト部と前記エミッタ電極のコンタクト部との間の下方に少なくとも一部が位置する第1の領域が、前記第1の領域以外の領域である第2の領域よりも深い位置にあり、 前記絶縁膜は開口部を有しており、前記開口部は、前記下面の前記第1の領域が前記開口部を介して前記基板と接するように前記半導体層によって埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 29/73 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/72 P ,  H01L 29/72 Z ,  H01L 21/76 D
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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