特許
J-GLOBAL ID:201603019987663760

アニオン伝導電解質膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-192620
公開番号(公開出願番号):特開2014-049352
特許番号:特許第6028312号
出願日: 2012年08月31日
公開日(公表日): 2014年03月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 高分子基材にN-ビニルイミダゾール誘導体を放射線グラフト重合して、前記N-ビニルイミダゾール誘導体の重合体をグラフト鎖として前記高分子基材に導入する工程と、前記グラフト鎖のイミダゾール部位を、炭素数3以上のハロゲン化アルキルでN-アルキル化してアルキル置換イミダゾリウム塩を形成する工程とを有することを特徴とするアニオン伝導電解質膜の製造方法。
IPC (7件):
H01M 8/02 ( 201 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C08J 5/22 ( 200 6.01) ,  C08F 291/18 ( 200 6.01) ,  C08F 8/02 ( 200 6.01) ,  H01M 8/10 ( 201 6.01)
FI (8件):
H01M 8/02 P ,  H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  C08J 5/22 106 ,  C08J 5/22 CEW ,  C08F 291/18 ,  C08F 8/02 ,  H01M 8/10
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る