超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料ならびに関連する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本秀策 , 森下夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-003298
公開番号（公開出願番号）：特開2016-052604
出願日： 2016年01月12日
公開日（公表日）： 2016年04月14日
要約：

【課題】超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料ならびに関連する方法の提供。【解決手段】超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料、スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料で被覆した超低汚損表面および表面を作製する方法、および超低汚損表面を有する装置。本発明は、スルホベタインまたはカルボキシベタイン材料の単分子層を含む表面を有する基材を提供する。この基材は、前記表面が約1nm2より大きな欠陥を有さず、約30ng/cm2未満のフィブリノゲン吸着を有する。本発明は、低汚損表面を作製するための方法を提供する。この方法は、(a)基材表面にラジカル開始剤を末端に持つ単分子層を形成すること;および(b)ラジカル開始剤を末端に持つ単分子層上で、スルホベタインまたはカルボキシベタインであるモノマーを重合することを含む。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

本願明細書に記載された発明。

IPC (13件)：

A61L 27/00 , A61L 31/00 , A61K 47/32 , A61K 47/34 , A61K 9/06 , A01P 17/00 , A01N 41/04 , A01N 37/44 , A01N 25/08 , A01N 25/34 , C08F 2/00 , C08F 20/36 , C08F 4/40

FI (13件)：

A61L27/00 W , A61L31/00 C , A61K47/32 , A61K47/34 , A61K9/06 , A01P17/00 , A01N41/04 Z , A01N37/44 , A01N25/08 , A01N25/34 A , C08F2/00 C , C08F20/36 , C08F4/40

Fターム (61件)：

4C076AA09 , 4C076EE10 , 4C076EE13 , 4C076EE14 , 4C076EE22 , 4C076EE23 , 4C076EE24 , 4C076EE27 , 4C076FF02 , 4C081AB11 , 4C081AB23 , 4C081AB31 , 4C081AB36 , 4C081BA14 , 4C081CA02 , 4C081CA08 , 4C081CA10 , 4C081CA16 , 4C081CA21 , 4C081CA27 , 4C081CA28 , 4C081CC02 , 4C081CC04 , 4C081CD34 , 4C081DA02 , 4C081DA12 , 4C081EA02 , 4H011AD01 , 4H011BA01 , 4H011BB06 , 4H011BB07 , 4H011BB19 , 4H011BC19 , 4H011DA07 , 4H011DA08 , 4H011DC10 , 4H011DD01 , 4H011DH02 , 4H011DH08 , 4J011CA02 , 4J011CA05 , 4J011CA08 , 4J011CB00 , 4J011CC02 , 4J011CC04 , 4J011CC07 , 4J015CA00 , 4J015DA13 , 4J015DA33 , 4J100AL08P , 4J100AL66Q , 4J100BA08Q , 4J100BA16P , 4J100BA32P , 4J100BA56P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100FA30 , 4J100JA51

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