特許

J-GLOBAL ID：201603020783702071

基板ホルダー材料の加工方法とその方法で加工された基板ホルダー

発明者： ファン ムンスター、マルクス ゲラルドゥス ,  ファン ヴェルゼン、ウィルヘルムス ヨハネス マテウス
出願人/特許権者： ザイカーブ・セラミクス・ビー.ブイ.
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-021578
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178557
特許番号：特許第5960997号
出願日： 2012年02月03日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に種々の半導体材料の層状蒸着を誘導加熱を用いて形成するために、その第1の側上に該半導体基板を載置する基板ホルダーの材料加工方法であって、 前記基板ホルダー材料上の少なくとも1つの測定位置における第1の電気抵抗率を求めるステップと、 前記第1の電気抵抗率を第2の基準電気抵抗率と比較するステップと、 前記比較に対応させて基板ホルダー材料を適応させるステップと、 を備え、 前記適応された基板ホルダー材料は、基板ホルダー材料のバルク、前記基板ホルダー材料のバルクのスライスおよび基板ホルダーの群の内の1つを含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/683 ( 200 6.01) ,  C23C 16/54 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/54 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ウエハ製造装置におけるウエハ用のホルダ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093191   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエハ製造装置におけるウエハ用のホルダ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093191   出願人：松下電器産業株式会社