特許
J-GLOBAL ID：201603020808977658
組み合わされたシリコン酸化膜エッチング及び汚染物除去プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-533585
特許番号：特許第5960270号
出願日： 2012年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置を形成する方法であって、
第1の材料、及び、該第1の材料によって取り込まれる第2の材料を含有する基板を提供するステップ、
第1のノンプラズマエッチングプロセスを使用して前記第1の材料をエッチングするステップであり、前記プロセスは、前記第2の材料をエッチングする速度と比較してより速いエッチング速度で前記第1の材料をエッチングして、前記第1の材料の少なくとも一部の上に重なる前記第2の材料を曝露する、ステップ、
反応性ガスを含有するプラズマを使用して前記第2の材料をエッチングして、前記第1の材料の少なくとも一部を曝露するステップ、及び、
第2のノンプラズマエッチングプロセスによって、前記第2の材料をエッチングすることにより曝露された前記第1の材料の少なくとも一部を含む前記第1の材料をエッチングするステップ、
を含み、
前記第2の材料が、前記第1の材料内で分散され、さらに、前記第1のノンプラズマエッチングプロセスの間に表面膜の中で集まる、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/302 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 21/302 201 A
, H01L 21/302 102
