特許
J-GLOBAL ID:201603020818411687

圧電磁器組成物及び圧電磁器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 大森 純一 ,  関根 正好
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-142187
公開番号(公開出願番号):特開2016-000689
出願日: 2015年07月16日
公開日(公表日): 2016年01月07日
要約:
【課題】高温環境下での使用に好適な圧電デバイスに用いられる圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】圧電デバイスは、ペロブスカイト組成物と、Ag成分とを含有する圧電磁器組成物を焼成して得られる圧電磁器層と該圧電磁器層を挟持する導体層とを備え、圧電磁器層はペロブスカイト組成物の焼結体中の空隙にAgが偏析している。圧電磁器組成物は、(Pba・Rex){Zrb・Tic・(Ni1/3Nb2/3)d・(Zn1/3Nb2/3)e}O3[式中、Reは、La及び/又はNdであり、a〜e、xは次の要件を満たす。0.95≦a≦1.05、0≦x≦0.05、0.35≦b≦0.45、0.35≦c≦0.45、0 請求項(抜粋):
下式(1)で表わされるチタン酸ジルコン酸塩系ペロブスカイト組成物と、Ag成分とを含有し、 前記Ag成分は、酸化物換算で、前記チタン酸ジルコン酸塩系ペロブスカイト組成物100質量部に対し0.05〜0.3質量部含有することを特徴とする圧電磁器組成物。 (Pba・Rex){Zrb・Tic・(Ni1/3Nb2/3)d・(Zn1/3Nb2/3)e}O3 ・・・(1) 式中、Reは、La及び/又はNdであり、a〜e、xは次の要件を満たす。 0.95≦a≦1.05 0≦x≦0.05 0.35≦b≦0.45 0.35≦c≦0.45 0 IPC (5件):
C04B 35/493 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/43 ,  H01L 41/09 ,  C01G 53/00
FI (5件):
C04B35/49 S ,  H01L41/187 ,  H01L41/43 ,  H01L41/09 ,  C01G53/00 A
引用特許:
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る