特許

J-GLOBAL ID：201603020858522007

窒化物半導体発光素子

発明者： 春日井 秀紀 ,  折田 賢児 ,  大野 啓 ,  山中 一彦
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-505786
特許番号：特許第5963004号
出願日： 2012年02月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 光導波路を有する窒化物半導体発光素子であって、 当該半導体発光素子は、基板上に、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型のガイド層と、第2クラッド層とを少なくともこの順に含み、 前記第2クラッド層は、透明導電体によって構成された透明導電体層と、当該透明導電体層よりも前記活性層側に形成され、p型のAlxInyGa1-x-yN(0 IPC (2件)：

H01S 5/20 ( 200 6.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/20 610 ,  H01S 5/343 610

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229045   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-176167   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-176975   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229045   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-176167   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-176975   出願人：松下電器産業株式会社