特許
J-GLOBAL ID：201603020860398941

静電容量型圧力センサおよびその製造方法、圧力センサパッケージ

発明者：
仲谷 吾郎

仲谷 吾郎 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129985
公開番号（公開出願番号）：特開2013-253879
特許番号：特許第5950226号
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 内部に絶縁層を有する半導体基板と、 前記半導体基板における前記絶縁層の内方領域を取り囲み、前記半導体基板の一部からなるセンサ領域を、前記絶縁層と共に前記半導体基板の表面部に区画する第1絶縁部と、 前記センサ領域の表面部の下方の領域を、前記第1絶縁部を横切る方向に沿って選択的に分断し、底部が前記絶縁層で画成された基準圧室と、 前記基準圧室の上方にある前記センサ領域の前記表面部を、前記第1絶縁部を横切る方向に沿って選択的に分断する第2絶縁部と、 前記センサ領域を前記半導体基板の表面から前記絶縁層に達するまで、前記第1絶縁部を横切る方向に沿って選択的に分断し、前記表面側が開放されたトレンチとを含み、 前記センサ領域は、前記基準圧室、前記第2絶縁部および前記トレンチによって、前記半導体基板の前記表面に沿う横方向に順に配置された、互いに絶縁された少なくとも3つの半導体部分に区画されており、 当該3つの半導体部分は、 前記基準圧室と前記トレンチとの間に配置されたメンブレンと、 前記メンブレンに対して前記基準圧室を隔てて対向する第1電極と、 前記メンブレンに対して前記トレンチを隔てて対向する第2電極とを含み、 前記第1電極と前記メンブレンによって構成された第1キャパシタの静電容量の変化量と、前記メンブレンと前記第2電極によって構成された第2キャパシタの静電容量の変化量との差分に基づいて、前記メンブレンに作用した圧力を検出する、静電容量型圧力センサ。
IPC (1件)：
G01L 9/00 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G01L 9/00 305 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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