ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-184746
公開番号（公開出願番号）：特開2016-066795
出願日： 2015年09月18日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：

【課題】安定供給や耐酸化性の点で問題のある希土類、Ba等を使用しなくても良好な熱電性能を有するスクッテルダイト熱電変換半導体を提供する。【解決手段】SiとTeとを共ドープした、以下の組成を有するスクッテルダイト熱電半導体により、上記課題が達成された。 CoSb3-x-ySixTey(ここで、0.003<x<0.25、0.025<y<0.40)また、アニーリングにより、熱電性能を更に向上させることができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

以下の組成を有するスクッテルダイト熱電半導体。 CoSb3-x-ySixTey(ここで、0.003<x<0.25、0.025<y<0.40)

IPC (9件)：

H01L 35/18 , H01L 35/34 , C01B 33/06 , C22C 12/00 , C22F 1/16 , C22C 1/04 , C22C 1/08 , B22F 3/10 , B22F 3/24

FI (9件)：

H01L35/18 , H01L35/34 , C01B33/06 , C22C12/00 , C22F1/16 A , C22C1/04 E , C22C1/08 F , B22F3/10 H , B22F3/24 C

Fターム (32件)：

4G072AA20 , 4G072BB01 , 4G072BB05 , 4G072BB12 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072JJ07 , 4G072JJ09 , 4G072MM01 , 4G072MM02 , 4G072MM26 , 4G072MM36 , 4G072MM37 , 4G072RR13 , 4G072RR15 , 4G072RR21 , 4G072TT17 , 4G072TT30 , 4G072UU01 , 4G072UU30 , 4K018AA40 , 4K018AB04 , 4K018AD11 , 4K018BA04 , 4K018BA20 , 4K018BC12 , 4K018CA23 , 4K018DA21 , 4K018DA32 , 4K018FA08 , 4K018KA32

引用特許：

審査官引用 (5件)

熱電変換材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263603 出願人：株式会社東芝
熱電材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-162362 出願人：株式会社豊田自動織機
半導体熱電材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-348759 出願人：財団法人山口県産業技術開発機構

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