特許
J-GLOBAL ID：201603021367126254
エッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-161879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022655
特許番号：特許第5878091号
出願日： 2012年07月20日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面側に半導体装置が形成され、該表面側をサポート基板によりサポートされた該被処理基板のシリコン層の裏面側に所定のパターンに形成されたマスクを介して、前記被処理基板をプラズマによりエッチングするエッチング方法であって、
フッ素化合物ガス、酸素ガス及びフッ化ケイ素ガスの流量比が、2:1:1.5の比率の混合ガスを含む処理ガス、又は前記比率に対して酸素ガス及びフッ化ケイ素ガスの少なくともいずれかの比率が多い混合ガスを含む処理ガスをチャンバ内に供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記被処理基板をエッチングするメインエッチング工程と、
前記メインエッチング工程の後、400kHz以下のバイアス用の高周波を印加しながら、前記被処理基板を更にプラズマによりエッチングするオーバエッチング工程と、
を含み、
前記メインエッチング工程は、
前記オーバエッチング工程にて印加されるバイアス用の高周波の周波数と同じ周波数の高周波を印加することを特徴とするエッチング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 21/88 J
, H05H 1/46 B
